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磁控溅射

磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的---，而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算的探讨具有实际意义。对于静态直冷矩形平面靶，即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶，?靶材利用率数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些，但其被刻蚀过程与直冷靶相同，不作专门讨论)，且多为估计值。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶工业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率可超过70%，但缺少足够数据或理论证明。而且，随着科学技术的进一步发展，近几年来在溅射镀膜领域中推出了离子束增强溅射，采用宽束强流离子源结合磁场调制，并与常规的二极溅射相结合组成了一种新的溅射模式。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型：矩形平面、圆形平面和圆柱管? 如何提-用率是真空磁控溅射镀膜行业的重点,圆柱管靶利用高,但在有些产业是不适用的,如何提高靶材利用,请到此一看的朋友,在下面留下你的见解,提供好的方法。

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磁控溅射镀膜机工艺

1技术方案 磁控溅射镀光学膜，有以下三种技术路线： a陶瓷靶溅射：靶材采用金属化合物靶材，可以直接沉积各种氧化物或者氮化物，有时候为了得到更高的膜层纯度，也需要通入一定量反应气体； b反应溅射：靶材采用金属或非金属靶，通入稀有和反应气体的混合气体，进行溅射沉积各种化合物膜层。 c离子辅助沉积：先沉积一层很薄的金属或非金属层，然后再引入反应气体离子源，将膜层进行氧化或者氮化等。 采用以上三种技术方案，在溅射沉积光学膜时，都会存在靶zhong毒现象，从而导致膜层沉积速度非常慢，对于上节介绍各种光学膜来说，膜层厚度较厚，膜层总厚度可达数百纳米。这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而---了磁控溅射镀膜在光学上的应用。更重要的是，它在不同的光照度下，视觉色彩恒定始终不变，可以---车内工作员的视线清晰。

2新型反应溅射技术 笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。表2.1是---反应溅射沉积技术，膜层沉积速度对比情况。

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磁控溅射原理

溅射过程即为入射离子通过--系列碰撞进行能量和动量交换的过程。

电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与ar原子发生碰撞，电离出大量的ar离子和电子，电子飞向基片，在此过程中不断和ar原子碰撞，产生更多的ar离子和电子。ar离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。服装装饰设计应用领域，例如各种各样光的反射镀一层薄薄的膜及其透明色镀一层薄薄的膜，可可用在手机壳、电脑鼠标等商品上。

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