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光刻胶市场

全球光刻胶市场扩增，对光刻胶的总需求不断提升。据估计，2015年国际光刻胶市场达73.6亿美元，其中pcb光刻胶占比24.5%，lcd光刻胶占26.6%，半导体光刻胶占比24.1%。2010年到2015年期间，国际光刻胶市场年复合增长率约为5.8%；相对于其他的光刻胶，pr1-2000a1有如下的一些额外的优势：peb，不需要后烘的步骤。据中国产业-数据，2015年，pcb光刻胶、lcd光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。

光刻工艺重要性二

光刻胶的-波长由宽谱紫外向g线***i线***krf***arf***euv(13.5nm)的方向移动。随着-波长的缩短，光刻胶所能达到的-分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度-，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得-严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，euv(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。euv光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

光刻胶国内的研发起步较晚

光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。据中国产业-数据，2015年，pcb光刻胶、lcd光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。

在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。

光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏-人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了-的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。