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但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系-。日本的科学家采用bizo作为添加剂，bi2o3在820cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。21世纪展现-发展前景的纳米技术，-由于它们的-优异的物理化学性能，资源的-性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。

区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆  厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质载流子浓度，一般可达10～10原子/厘米。所述择点测量机构包括一安装在机座上的第二驱动电机、一对安装在所述第二驱动电机上的第二传动轴、一安装在机座上并与所述第二传动轴平行的滑轨及若干安装在滑轨上的测点探针。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度10原子/厘米，这样纯度的锗相当于13所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。

中国的工业，由于长期处于计划经济体制内，发展比较缓慢，对于金银而言，可以说是历史悠久，源远流长了，但在改革开放前，没有纳入计划渠道的，直至2002年10月30日上海黄金正式开业，才宣告了计划经济时金银管理条例的失效，而铂族金属工业更是起步晚、技术落后，直到改革开放以后，才有了突飞猛进的发展，但与国际上-的相比较，依然是落在人家后面，因此在中国无论是的投资储备需求，还是实际的应用需求。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

绑定的适用范围

 技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。

建议绑定的靶材：

 ito、sio2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；

 锡、铟等软金属靶；

 靶材太薄、靶材太贵的情况等。

但下列情况绑定有弊端：

 1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；

 2.-靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。