便携式IGBT测试仪批发货源充足 华科分立器件测试仪

igbt动态参数测试系统技术要求

1、设备概述

该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。

2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他---的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他---的技术文件，所有资料必须准备正本、副本各一份，电子版一份；等领域，使半导体开发---在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。正本、副本技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。

目的和用途 该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2igbt模块动态测试参数及指标测试单元对igbt模块和frd的动态参数及其他参数的定义满足---iec60747-9以及iec60747-2。 1.2 测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通---时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us 6、开通峰值功率pon：10w～250kw

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断---时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、关断耗散功率pon：10w～250kw 关断时间测试条件： 1、集电极电压vce：50～100v±3%±1v 100～500v±3%±5v 500v～1000v±3%±10v 2、集电极电流ic：50～100a±3%±1a; 100～500a±3%±2a; 500～1000a±3%±5a;

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