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化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，nasa 开始尝试使用金属有机化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，并获得了成功，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。

nasa 使用了c15h21iro6作为制取铱涂层的材料，并利用 c15h21iro6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm，c15h21iro6的制取效率达 70%以上。

化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) cvd反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶-的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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化学气相沉积的分类

化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(atmospheric pressure cvd，apcvd)、低压化学气相沉积(low pressure cvd，lpcvd)、真空化学气相沉积(ultrahigh vacuum cvd，uhvcvd)、激光化学气相沉积(laser cvd，lcvd)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic cvd，mocvd)，等离子体增强化学气相沉积plasma enhanced cvd，pecvd等。然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。

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化学气相沉积法简介

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化学气相堆积(简称cvd)是反响物质在气态条件下发生化学反响，生成固态物质堆积在加热的固态基体外表，进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。

化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、-物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。刻蚀腔的主要组成有：上电极、icp射频单元、rf射频单元、下电极系统、控温系统等组成。现在，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。