等离子化学气相沉积设备厂家-「在线咨询」

化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) cvd反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶-的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

如需了解更多化学气相沉积的相关信息，欢迎关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站或拨打图片上的-电话，我司会为您提供、周到的服务。

化学气相沉积的分类

化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(atmospheric pressure cvd，apcvd)、低压化学气相沉积(low pressure cvd，lpcvd)、真空化学气相沉积(ultrahigh vacuum cvd，uhvcvd)、激光化学气相沉积(laser cvd，lcvd)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic cvd，mocvd)，等离子体增强化学气相沉积plasma enhanced cvd，pecvd等。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

想要了解更多化学气相沉积的相关信息，欢迎拨打图片上的热线电话！

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。

等离子体增强化学气相沉积pecvd技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。4涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从-上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用pecvd技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。