便携式IGBT测试仪加工常用解决方案「多图」

半导体元件除了本身功能要-之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的特性很难-，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个-的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3。

华科智源igbt测试仪制造标准 华科智源igbt测试仪hustec-1200a-mt除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满-下标准的版本。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。 gb/t 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管igbt gb 13869-2008 用电安全导则 gb19517-2004 电器设备安全技术规范 gb 4208-2008 外壳防护等级ip 代码iec 60529：2001，idt gb/t 191-2008 包装储运图示标志 gb/t 15139-1994 电工设备结构总技术条件 gb/t 2423 电工电子产品环境试验 gb/t 3797-2005 电气控制设备 gb/t 4588.3-2002 印制板的设计和使用 gb/t 9969-2008 工业产品使用说明书总则 gb/t 6988-2008 电气技术用文件的编制 gb/t 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 gb/t 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%rh 至 90%rh (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。2测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2。

声明提示：

本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。