NR21 20000P光刻胶报价厂家报价 赛米莱德公司

芯片光刻的流程详解一

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法-nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。预计g线正胶今后将占据50%以上市场份额，i线正胶将占据40%左右的市场份额，duv等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。通过用强酸刻蚀玻璃板，niepce在1827年制作了一个damboise-的雕板相的产品。

niepce的发明100多年后，即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了x-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。光刻胶品牌futurre光刻胶产品属性：1futurre光刻胶产品简要描述及优势:1。

nr9-3000pynr21 20000p光刻胶报价

2,涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。

烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。

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 品牌

 产地

 型号

 厚度

 -

 应用

 加工

 特性

 futurrex

 美国

 nr71-1000py

 0.7μm~2.1μm

 高温耐受

 用于i线-的负胶

 ledoled、

     显示器、

 mems、

     封装、

     生物芯片等

     金属和介电

     质上图案化，

     不必使用rie

     加工器件的永

    组成

    oled显示

     器上的间隔

     区凸点、

     互连、空中

     连接微通道

     显影时形成光刻胶倒

     梯形结构

     厚度范围：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h线-波长

     对生产效率的影响：

     金属和介电质图案化

     时省去干法刻蚀加工

     不需要双层胶技术

 nr71-1500py

  1.3μm~3.1μm

 nr71-3000py

 2.8μm～6.3μm

 nr71-6000py

 5.7μm~12.2μm

 nr9-100py

 粘度增强

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 nr9-3000py

 2.8μm~6.3μm

 nr9-6000py

 nr71g-1000py

  负胶对  g、h线波长的灵敏度

 nr71g-1500py

 nr71g-3000py

 nr71g-6000py

 nr9g-100py

 0.7μm～2.1μm

 nr9g-1500py

 1.3μm～3.1μm

 nr9g-3000py

 nr9g-6000py

 耐热温度

 pr1-500a

 0.4μm～0.9μm

美国futurre光刻胶

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是-比较多公司采用的，

但是futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌futurre光刻胶产品属性：

1  futurre光刻胶产品简要描述及优势:

1.1   futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂hmds

1.2  负性光刻胶常温下可保存3年

1.3  150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4  单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5  显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟