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双室磁控溅射系统

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设备简介

主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到-地保障。 目前该系列有基本型、-型、-型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，比较灵活；标配4只φ2英寸永磁靶，4台500w直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。厚度均匀性主要取决于：1、基片材料与靶材的晶格匹配程度2、基片表面温度3、蒸发功率，速率4、真空度5、镀膜时间，厚度大小。

磁控溅射的种类介绍

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。-样品台可镀制多种型号光纤产品系统主要由真空室、磁控靶、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，-地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。

但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶，如半导体膜溅射。该系列设备主要部件采用进口或者国内-的配置，从而提高设备的稳定性。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。

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磁控溅射介绍

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由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。

溅射时，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，容易使基片-甚至发生二次溅射，影响制膜。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，因而被散射到整个腔体，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容，这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。