使用电子导电性橡胶时,由于导电性填充剂添加量的变化都会引发电阻剧烈变化,所以存在电阻值很难控制的问题。而且,由于橡胶中的导电性填充剂难以均匀分散,所以辊筒的圆周方向和宽度方向上的电阻值不均匀。
对橡胶组合物进行-处理的方法包括使用加压装置和-处理槽的间歇式或连续式-法。用间歇式-法进行-处理制造辊筒时,由于端部和中央部分会产生压力和热传递差,所以电阻值不均匀。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,-地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线:在平面显示器产业中,各种显示技术(如lcd、pdp、oled及fed等)的同步发展,有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中,磁性存储器的存储容量不断增加,新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的提出了越来越高的要求,需求数量也逐年增加。3:废钯碳催化剂提钯,首先用物理原理把碳等有机物去除,剩下金属钯,再用化学试剂溶解金属钯,再进行下一步钯分离。
精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有-的微观结构。
制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。
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