等离子化学气相沉积设备价格常用指南「沈阳鹏程」

化学气相沉积的特点

以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。

特点

1在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。

2可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层较好。

采用等离子和激光辅助技术可以-地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。

4涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。

5可以控制涂层的密度和涂层纯度。

6绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。

7沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以-其结构。

8可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。

化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) cvd反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶-的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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icp刻蚀机的测量与控制

沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售icp刻蚀机，以下信息由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供。

由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：

虚拟测量virtual metrology 

等离子刻蚀过程控制示意图

光谱测量

等离子阻抗监控

终端探测

远程耦合传感

控制方法

run-to-run 控制r2r 

模型预测控制mpc

人工神经网络控制

icp刻蚀机检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今-规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。

光学发射:

光学发射光谱法oes是使用较为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终点检测。等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后，在返回到另一个能态时，伴随着这一过程所发射出来的光线。等离子体化学气相沉积原理及特点原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方，吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击，结合键断裂成为活性粒子，化学反应生成固态膜。

光线的强度变化可从反应腔室侧壁上的观测孔进行观测。不同原子或分子所激发的光波波长各不相同，光线强度的变化反应出等离子体中原子或分子浓度的变化。被检测的波长可能会有两种变化趋式：一种是在刻蚀终点时， 反应物所发出的光线强度增加；一．系统概况该系统主要用于常规尺寸样片不超过φ6的刻蚀，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。另一种情形是光线强度减弱。

激光干涉：

激光干涉终点法iep是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。

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