便携式IGBT测试仪批发按需定制「多图」

igbt测试装置技术要求 1设备功能 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试。高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求。系统的测试原理符合相应的---，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试，在igbt的检测中，采用大电流脉冲对igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v；测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？

当功率元件老化时，元件的内阻在导通时---会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulatedgateb。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。

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