大功率IGBT测试仪加工的行业须知「华科智源」

igbt半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：

?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；

?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以-出厂产品的合格率；

?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以-出厂产品的稳定性、-性；

?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以-出厂产品的稳定性、-性；

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%rh 至 90%rh (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

目的和用途 该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。等领域，使半导体开发-在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 1.2 测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通-时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us 6、开通峰值功率pon：10w～250kw

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。2测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2。

声明提示：

本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。