变频器用IGBT测试仪-规格齐全「在线咨询」

半导体元件除了本身功能要---之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的特性很难---，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为---品。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个---的测量电路，我公司所设---产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

11动态测试续流二极管

用于防止测试过程中的过电压。

?压降小于1v

?浪涌电流大于20ka

?反向恢复时间小于2μs

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

12安全工作区测试续流二极管

?浪涌电流 大于20ka

?反向恢复时间 小于2μs

?工作湿度 <70%

13被测器件旁路开关

被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。

?电流能力 dc 50a

?隔离耐压 15kv

?响应时间 150ms

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4mpa

?工作湿度 <70%

2.2反向恢复技术条件 测试参数： 1、irr(反向恢复电流)：50～1000a 50～200a±3%±1a 200～1000a±3%±2a 2、qrr (反向恢复电荷)：1～1000uc 1～50uc±5%±0.1 uc 50～200uc±5%±1 uc 200～1000uc±5%±2 uc 3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mj 0.5～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～200mj±5%±1mj 200～1000mj±5%±2mj 测试条件： 1、正向电流ifm：50～1000a 50～200a±3%±1a 200～1000a±3%±2a 2、-di/dt测量范围：200～10000a/us 3、反向关断峰值电压vrrpk：200～1000v±3%±2v 4、dv/dt测量范围：100～10000v/us

2.4短路技术条件 1、vcc： 200～1000v 200～1000v±3%±2v 2、一次短路电流：20000a 500～1000a±3%±2a 1000a～5000a±2%±5a 5000a～20000a±2%±10a 3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件 1、vce：50～500v±3%±5v 500～1000v±3%±5v 2、ic：1a～50a 1a～9.9a±3%±50ma 10a～50a±3%±1a 3、ea：10mj～20j 10mj～1000mj±3%±1mj 1j～20j±3%±10mj 4、脉冲宽度：40—1000us可设定 5、测试频率：单次 2.6 ntc测试技术条件 阻值测量范围：0～20kω

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