RR41光刻胶报价的用途和特点「赛米莱德」

政策扶持

为促进我国光刻胶产业的发展，02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收组、财务验收组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。

据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了euv光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明15项包括国际5项，截止到目前，共获得授权10项包括国际授权3项。b、接近式---proximityprinting掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片wafer clean

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术例goldfinger mach2清洗系统、美国ssec公司的双面檫洗技术例m3304 dss清洗系统、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术用电介超纯离子水清洗使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。国内企业的光刻胶产品目前还主要用于pcb领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。

pc6-16000

nr9-3000py 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节---能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

nr9-1000py 0.7μm - 2.1μm

nr9-1500py 1.1μm - 3.1μm

nr9-3000py 2.1μm - 6.3μm

nr9-6000py 5.0μm -

12.2μm  

resist thickness

nr71-1000py 0.7μm - 2.1μm

nr71-1500py 1.1μm - 3.1μm

nr71-3000py 2.1μm - 6.3μm

nr71-6000py 5.0μm - 12.2μm

美国futurre光刻胶

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是---比较多公司采用的，

但是futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌futurre光刻胶产品属性：

1  futurre光刻胶产品简要描述及优势:

1.1   futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂hmds

1.2  负性光刻胶常温下可保存3年

1.3  150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4  单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5  显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟