NR9 3000P光刻胶价格厂家报价「在线咨询」
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1959 年被发明以来就成为半导体工业-的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为 pcb 生产的重要材料。
二十世纪 90 年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。
在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶也起着举足轻重的作用。
总结来说,光刻胶产品种类多、-性强,需要长期技术积累,对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有-要求,企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术,具有-的技术壁垒。
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过-后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显-被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过-后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显-,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率即光刻工艺中所能形成图形不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。
光刻胶市场需求逐年增加,2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元,而国内光刻胶需求量方面,2011年光刻胶需求量为3.51万吨,到2017年需求量为7.99万吨,年复合增长率达14.69%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于中国-光刻胶市场起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品,tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。
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光刻胶一般由4种成分组成:树脂型聚合物、光活性物质、溶剂和添加剂。树脂是光刻胶中占比较大的组分,构成光刻胶的基本骨架,主要决定-后光刻胶的基本性能,包括硬度、柔韧性、附着力、耐腐蚀性、热稳定性等。光活性物质是光刻胶的关键组分,对光刻胶的感光度、分辨率等其决定性作用。
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的-参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的-参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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