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光刻胶介绍

光刻胶介绍

光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料，可以在光照后发生化学性质的改变，这是整个工艺的基础。

光刻胶有不同的类型，pmmapmgi以及dnq酚醛树脂等材料都可以做光刻胶。

 目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等，包括 futurrex、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、lg化学等等，中国公司在光刻胶领域也缺少---。

美国futurrex的光刻胶

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国futurrex新型lift-off光刻胶nr9-3000py，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线366纳米---工具。当显---显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比nr9i-3000py有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来---产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据---能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用rr5去胶液可以很容易的去胶 nr9-3000py的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，nr9-3000py的显影在水溶液里完成。属固含量%：31-35 主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。

光刻工艺重要性二

光刻胶的---波长由宽谱紫外向g线***i线***krf***arf***euv(13.5nm)的方向移动。随着---波长的缩短，光刻胶所能达到的---分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度---，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得---严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，euv(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。euv光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。