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管道堵塞及管道清洗的几种情况

1、慢性堵塞：

管道内流体物质经年累月地慢慢的附着在管道壁上使管道逐渐变细，管道自身和其他物质发生化学反应也逐渐变细，慢慢的管道就会堵塞了。

2、异物掉入造成的堵塞：

这种情况容易理解，就是其他的东西掉进管道，使管道堵住了。

3、其它原因：

管道堵塞的原因还有很多，而且往往是多种因素互相作用的结果，因此其维修方法不尽相同

1、管道化学清洗：化学清洗管道是采用化学药剂，对管道进行临时的改造，用临时管道和循环泵站从管道的两头进行循环化学清洗。该技术具有灵活性强，对管道形状无要求，速度快，清洗等特点。

2、高压水清洗：采用50mpa以上的高压水射流，对管道内表面污垢进行高压水射流剥离清洗。该技术主要用于短距离管道，并且管道直径必须大于50cm以上。该技术具有速度快，成本低等特点。

3、pig清管：pig工业清管技术是依靠泵推动流体产生的推动力驱动pig清管器在管内向前推动，将堆积在管线内的污垢排出管外，从而达到清洗的目的。该技术被广泛用于各类工艺管道、油田输油输汽管道等清洗工程，-是对于长距离输送流体的管道清洗，具有其他技术无法替代的优势。

清洗时间接近完成，停止生产，将火扑灭，温度降至100度，为了清洗系统，即关闭部分阀门，以加速其他管道清洗剂的流动。保持半小时。做更的清洗。强制打开排气阀约1小时，清洗尾槽。

清洗后温度下降到40到80度。从输油系统的点出发，尽可能将导热油和去污剂清除掉；然后再启动空气压缩机，尽可能使导热油和去垢剂的残渣去除系统更完善。

清洗过程完成后，可添加新油继续生产。不仅节省时间，不影响生产任务，而且不排放污水，会造成二次污染，但热油在线清洗剂不适合热油管道完全堵塞的情况。

化学清洗和安全知识

1 化学清洗

在半导体器件工艺实验中。化学清洗是指去除吸附在半导体、金属材料和器具表面的各种有害杂质或油渍。清洗方法是利用各种化学试剂和有机助熔剂，使吸附在被清洗物体表面的杂质和油类发生化学反应溶解，或辅以超声波、加热、真空等物理措施，将杂质除去。从要清洁的物体。表面解吸或解吸，然后用大量高纯冷热去离子水冲洗，得到干净的表面。

1.1 化学清洗的重要性

工艺实验中的每个实验都有化学清洗的问题。化学清洗的对实验结果有-影响。如果过程处理不当，将得不到实验结果或实验结果很差。因此，了解化学清洗的作用和原理对工艺实验具有重要意义。众所周知，半导体的重要特性之一是对杂质非常敏感。只要有百万分之一甚至少量的杂质，就会对半导体的物理性能产生影响。方法。各种功能半导体器件的制造。但也正是因为这个特点，给半导体器件的工艺实验带来了麻烦和困难。用于清洁的化学试剂、生产工具和水可能成为有害杂质的来源。即使是干净的半导体晶圆更长时间暴露在空气中也会引入明显的污染物。化学清洗是去除有害杂质，保持硅片表面清洁。

浸泡是反渗透化学清洗过程中的关键过程

既可以使化学液与污染物有足够的时间发生相应的化学反应，又能让污染物从膜的表面脱落，溶于化学液中，达到化学清洗的目的。在化学清洗过程中，一定要-足够的浸泡时间。

河北某电厂针对出现的异常现象，结合对反渗透进水硬度、p

h和碱度的化验分析以及阻垢剂的加入量分析，判断异常原因是碳酸钙结垢[2]。化学清洗后给水压力、压差、流量和脱盐率变化如图1、图2所示，可见化学清洗后2号反渗透装置运行状况-，压差在0.40

mpa左右，脱盐率在92.41%左右。运行一段时间后各项指标恢复到化学清洗前，脱盐率下降到81.1%。检查清洗记录发现-未严格按照化学清洗步序，导致反渗透膜在化学药剂中的浸泡时间不足，未达到化学清洗效果。

3.4 循环清洗过程

循环清洗是反渗透系统化学清洗的主要过程。该过程中化学液与膜内部污染物发生物理的动力接触，进一步发生渗透、摩擦、剪切等反应，从而达到化学清洗的目的[13]。清洗过程中清洗液的p

h值是重要的测定参数，通过p h的变化可以判断系统清洗的状况和清洗阶段。现场可采用精密试纸法或便携式p h仪进行检测。

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