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抛光过程分为两个步骤，切削和终抛光。这两步都要用到抛光垫和抛光浆。切削过程是去除硅上薄薄的一层，以生产出表面没有损伤的晶圆片。终抛光并不去除任何物质，只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑。

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来自斯坦福的研究团队在旧金山举行的一次科技会议上展示了这个电路。他们展示的技术进步是迄今证明当硅芯片尺寸达到物理---时，碳纳米管可能会成为一种未来的替代材料。

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