眉山回收破碎硅料在线咨询 振鑫焱硅业

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，-测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，-偿还，返工，光伏模块回收等。

2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 i sc 来表示。

将 pn 结短路 v=0 ，因而 if=0 ，这时所得的电流为短路电流 isc ，显然有： i sc =  i l   ， i sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大，   i sc 越大。 i sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 v m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 i m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。   η = v m  i m  / a t

p in 其中 v m 和 i m 分别为大输出功率点的电压和电流， a t 为太阳电池的总面积， p in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 ff 表示：   ff = i m v m / i sc v oc

i sc v oc 是太阳电池的-输出功率， i m v m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池-劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 c   ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池   α = +0.1%/ 0 c 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 c   ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池   β  = - 0.38%/ 0 c 。 

破碎太阳能发电板回收回收报废太阳能发电板电话

振鑫焱光伏科技有限责任公-期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，试验板，负债-，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

太阳电池片规范 

1、范畴 

本规范适用百力达结晶硅太阳电池，包含单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池下称充电电池。

2、规范化引证文档以下文档中的条文根据本规范的引证而变成本规范的条文。因此注时间的引证文档，其接着全部的改动单不包含勘误的內容或改版均不适感用以本规范，但激励依据本规范达成共识的多方科学研究是不是可应用这种文档的新版。因此不注时间的引证文档，其新版适用本规范。 

gb/t2297自然光伏能源系统术语gb/t6618硅片薄厚和总薄厚转变测试标准gb/t6495.1太阳能发电元器件-一部分：太阳能发电电流量—工作电压特点的测量idtiec904—1：1987 

gb/t6495.3太阳能发电元器件后一部分：路面用太阳能发电元器件的测量基本原理及规范光谱仪副光照强度数idtiec904—3：1987 

gb/t17473.3厚膜电子信息技术用贵重金属料浆测试标准方阻测量 

gb/t17473.7厚膜电子信息技术用贵重金属料浆测试标准可焊性、耐焊性测量 

gb2828.1一部分：技术性抽样检验程序流程按接受品质限aql查找的逐批检测取样方案 

gb2829周期时间检测记数取样程序流程及表适用加工过程-性的查验sj/t10459太阳电池溫度指数测试标准astmd3359standardtestmethodsformeasuringadhesionbytapetest胶布实验测量黏合性的方式

 破碎太阳能发电板回收

 回收报废太阳能发电板电话

电池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，-测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，-偿还，返工，光伏模块回收等。

电池片流程

1、   车间段位构成

whq ：硅片为太阳能电池片的载体，硅片的决定了电池片的转换效率。而该工序则是对硅片的来料检测，主要是包括厚度， ttv ，电阻率，外观 破片，缺角，孔洞，脏污

需注意 :

1)   切割方向会厚薄不均，放片时需 180 度错落放置以-放入载体厚薄均匀，切割方向需要垂直与印刷 细 栅方向，预防水波纹出现。

2)   线痕：   单线痕

密集线痕

3 原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连，放置时需轻微摇晃。

制绒： 目的：去除表面损伤层，对表面进行凹凸处理 ，清楚表面硅酸钠，氧化物，油污以及金属。以提高光电转换率。

减重 ，活性不均匀会影响到后面 pevcd 工序使硅片出现问题制绒过程中， 制绒面朝下，装入载体，载体单孔面为制绒面。在制品时间为两小时，两小时内要及时送入下一工序。