PR1 2000A1光刻胶公司-「多图」

光刻胶介绍

光刻胶介绍

光刻胶(又称光致抗蚀剂)，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。光刻胶具有光化学敏感性，其经过-、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。因此光刻胶微细加工技术中的关键性化工材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。生产光刻胶的原料包括光引发剂包括光增感剂、光致产酸剂、光刻胶树脂、单体和其他助剂等。当显-nr9-3000py显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。

正负光刻胶

正负光刻胶

光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。

一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶!目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显-图形有涨缩，负性胶-在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以-负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶-，正胶-。赛米莱德提供美国futurrex的光刻胶的供应与技术参数。

nr9-3000py

11．请教~有没有同时可以满足rie

process 和lift-off

process的光阻，谢谢！

a 我们使用futurrex

nr1-300py来满-上工艺的需求。

12．futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

a nr9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

a nr9-8000因为有-的ar比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的color

filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作coior

filter?

a 用于silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要reflow, 颜色也不会老化改变，只需要在filter上面加热溶解pr1-2000s光阻，microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

a 美国futurrex公司，专门生产应用化学品的，可以为平坦化的材料提供pc3-6000和pc4-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布protective

coating，那种适合？？

a 美国futurrex，pc4-10000。

17．腊是用来固定芯片的，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

a 我们公司是使用futurrex

pc3-6000,可以替代的，而且去除比较容易，你可以-下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与mems应用的光刻胶吗？

a nr4-8000p可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底nr9-8000p是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

a 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，nr4-8000p是专门为光波导图案应用进行设计的产品。