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NR9 3000P光刻胶公司免费咨询「赛米莱德」
正性光刻胶和负性光刻胶
光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时---部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为正性光刻胶。
在实际运用过程中,由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况,一般情况下分辨率只能达到 2 微米,因此正性光刻胶的应用更为广泛。
光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未---的区域将溶解，而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的，因此在ic制造中的应用更为普及，但mems系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。
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光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，然后得到所需图像。 光刻胶作为技术门槛---的电子化学品一直被国际企业垄断。 随着大力研发和投入， 国内企业已逐步从低端 pcb 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。
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