磁控溅射设备厂家常用解决方案「沈阳鹏程」
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。如果上半部分热的---明冷却不好,会向真空室返油,那就是不正常的现象了,说明冷却不好,原因可能是水压不够或者水管内有阻塞。平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同,大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,---地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加了碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高。
但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面,基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术,即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极,两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。辉光区发射出电子、离子、中性原子、光子等,这些组成等离子体宇宙99%以上的组成物质为等离子体辉光和基体之间电压降很小。不管平衡还是非平衡,若磁铁静止,其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率,可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构,同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶,如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备,多用磁场静止靶源。
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溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。本产品可广泛应用于触摸屏ito镀膜、lcd显示屏ito镀膜、薄膜太阳能电池背电极及azo镀膜、彩色滤光片镀膜、电磁屏蔽玻璃镀膜、ar镀膜、装饰镀膜等产业领域。通常,利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10pa的气或其它惰性气体,在阴极靶1-3kv直流负高压或13.56mhz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
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磁控溅射原理:电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞,电离出大量的离子和电子,电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子或分子沉积在基片上成膜。原理是将扩散泵油加热至沸腾,气化的油雾通过喷油嘴向四周喷射,扩散泵的四周有冷却水管或者水套,将喷射的油雾冷却液化流下至泵的底部循环。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度---,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长,在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用 e x b drift使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓,那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在e x b shift机理下工作的不光磁控溅射,多弧镀靶源,离子源,等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向,电压电流大小而已
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真空泵和测量装置:
低真空:干泵和convectron真空规
高真空:涡轮分子泵,低温泵和离子规
5.控制系统:
硬件:plc和计算机触摸屏控制
自动和手动沉积控制
主要特点:
射频电源:基底预先清洗和等离子体辅助沉积
温度控制器:基底加热
大面积基底传送装置
冷却系统
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