检修用IGBT测试仪批发欢迎来电「多图」

半导体元件除了本身功能要-之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的特性很难-，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个-的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

现今power mosfet(金属氧化物场效晶体管)及igbt绝缘栅型场效应晶体管已成为大功率元件的主流，在市场上居于--。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发-在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来-操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。

3.6 vces 集射极截止电压 0~5000v 集电极电流ices： 0.01～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～50ma±1%±0.1ma； 集电极电压vces： 0-5000v±1.5%±2v； * 3.7 ices 集射极截止电流 0.01～50ma 集电极电压vces： 50～500v±2%±1v； 500～5000v±1.5%±2v； 集电极电流ices： 0.001～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma；当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。 10～150ma±1%±0.1ma； * 3.8 vce(sat) 饱和导通压降 0.001～10v 集电极电流ice： 0-1600a 集电极电压vces： 0.001～10v±0.5%±0.001v 栅极电压vge： 5～40v±1%±0.01v 集电极电流ice： 0～100a±1%±1a； 100～1600a±2%±2a； * 3.9 iges 栅极漏电流 0.01～10μa 栅极漏电流iges： 0.01～10μa±2%±0.005μa 栅极电压vge： ±1ｖ～40v±1%±0.1v； vce=0v； * 3.10 vf 正向特性测试 0.1～5v 二极管导通电压vf： 0.1～5v±1%±0.01v 电流if： 0～100a±2%±1a； 100～1600a±1.5%±2a；

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%rh 至 90%rh (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

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