封装用IGBT测试仪批发近期行情「多图」

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma；测试工作电压：10kv整体设备满足gb19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求18其他辅件。 200～1000ma±1%±2ma；

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220vac ±10% ，50hz/60hz 20a rms；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试igbt模块及frd；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% 相对湿度

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 vcc： 50 ~ 1000v；

4.2 集电极电流 ic： 50 ~ 1000a 感性负载；

4.3 电流持续时间 it： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： vcc，ic, 电感值自动计算脉宽；

4.6 双电流脉冲的设置： vcc, ic, 电感值，间隙时间10到50us(脉宽自动计算)；

开启qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us；

4.7 设备寄生电感 lint: < 65nh感性动态测试。

14工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4μ 15槽上架式机箱；

?支持atx母板；

?cpμ：intel双核；

?主板：研华simb；

?硬盘：1tb；内存4g；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。

?西门子plc逻辑控制

15数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：ni数据采集卡

?上位机：基于labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为excel文件及其他用户需要的任何数据格式，---是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

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