进口化学气相沉积设备公司咨询「沈阳鹏程」

化学气相沉积产品概述

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1、适用范围：适合于各单位实验室、-院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途：主要用来制作sio2、si3n4、非晶si：h、多晶si、sic、w、ti-si、gaas、gasb等介电、半导体及金属膜。

化学气相沉积法简介

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化学气相堆积(简称cvd)是反响物质在气态条件下发生化学反响，生成固态物质堆积在加热的固态基体外表，进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。

化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、-物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。现在，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

化学气相沉积的过程介绍

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具体说来，基于辉光放电方法的pecvd技术，能够使得反应气体在外界电磁场的激励下实现电离形成等离子体。在辉光放电的等离子体中，电子经外电场加速后，其动能通常可达10ev左右，甚至更高，-破坏反应气体分子的化学键，因此，通过高能电子和反应气体分子的非弹性碰撞，就会使气体分子电离离化或者使其分解，产生中性原子和分子生成物。正离子受到离子层加速电场的加速与上电极碰撞，放置衬底的下电极附近也存在有一较小的离子层电场，所以衬底也受到某种程度的离子轰击。因而分解产生的中性物依扩散到达管壁和衬底。这些粒子和基团这里把化学上是活性的中性原子和分子物都称之为基团在漂移和扩散的过程中，由于平均自由程很短，所以都会发生离子-分子反应和基团-分子反应等过程。通常沉积tic或tin，是向850~1100℃的反应室通入ticl4，h2，ch4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。到达衬底并被吸附的化学活性物主要是基团的化学性质都很活泼，由它们之间的相互反应从而形成薄膜。