磁控溅射沉积设备价格承诺守信 沈阳鹏程
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主要用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成:
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
磁控溅射是物---相沉积的一种。于是人们采用高频电源,回路中加入很强的电容,这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 70 年---展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提---离子体密度以增加溅射率。
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直流溅射法:直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧-触的阴极,从而该方法只能溅射导体材料,不适于绝缘材料。辉光区发射出电子、离子、中性原子、光子等,这些组成等离子体宇宙99%以上的组成物质为等离子体辉光和基体之间电压降很小。因为轰击绝缘靶材时,表面的离子电荷无法中和,这将导致靶面电位升高,外加电压几乎都加在靶上,两极间的离子加速与电离的机会将变小,甚至不能电离,导致不能连续放电甚至放电停止,溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材,须用射频溅射法rf。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程:入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞,入射粒子的一部分动能会传给靶材原子;某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒对于金属是5-10 ev,从而从晶格点阵中被碰撞出来,产生离位原子;这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞,产生碰撞级联;当这种碰撞级联到达靶材表面时,如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能对于金属是1-6ev,这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。磁场与电场的交互作用exbdrift使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。
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由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的,因而溅射出来的原子能量高,有利于提高沉积时原子的扩散能力,提高沉积组织的致密程度,使制出的薄膜与基片具有强的附着力。
溅射时,气体被电离之后,气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材,电子则飞向接地的壁腔和基片。标配4只φ2英寸永磁靶,4台500w直流溅射电源,主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。这样在低电压和低气压下,产生的离子数目少,靶材溅射效率低;而在高电压和高气压下,尽管可以产生较多的离子,但飞向基片的电子携带的能量高,容易使基片-甚至发生二次溅射,影响制膜。另外,靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加,因而被散射到整个腔体,既会造成靶材浪费,又会在制备多层膜时造成各层的污染。
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