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化学气相沉积过程介绍

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。等离子体化学气相沉积简称pcvd，是一种用等离子体激发反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。通常沉积tic或tin，是向850~1100℃的反应室通入ticl4，h2，ch4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。

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icp刻蚀机的原理

感应耦合等离子体刻蚀法inductively coupled plasma etch，简称icpe是化学过程和物理过程共同作用的结果。同时，所使用的晶片尺寸增至300mm，暴露在等离子体轰击下的被刻蚀面积不断缩小，所检测到的终点信号的强度下降，信号的信噪比降低。它的基本原理是在真空低气压下，icp 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的rf 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

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icp刻蚀机检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今-规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。

光学发射:

光学发射光谱法oes是使用较为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终点检测。3供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器pc和流量控制器mfc-的控制气体的流速和流量。等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后，在返回到另一个能态时，伴随着这一过程所发射出来的光线。

光线的强度变化可从反应腔室侧壁上的观测孔进行观测。不同原子或分子所激发的光波波长各不相同，光线强度的变化反应出等离子体中原子或分子浓度的变化。7)反应温度太高，一般要850~1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。被检测的波长可能会有两种变化趋式：一种是在刻蚀终点时， 反应物所发出的光线强度增加；另一种情形是光线强度减弱。

激光干涉：

激光干涉终点法iep是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。

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