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煮炉清洗工艺

1. 新建锅炉的除油钝化先用自来水对锅炉停止一次预冲刷。经过充水与排水铲除坠落的污垢，然后用软化水配成的含na0i-i、na3p04各2～3g／l的煮炉清洗液，注入锅炉至汽包中心水位，锅炉，熄灭升温至o·8mpa坚持8—10h。从下联箱排污阀将煮炉清洗液放净，再补偿上述的清洗液至汽包中心水位，加热升压至1~1.5mpa，坚持8～10h，然后将清洗液排净。再次补偿上述的清洗液至汽包中心方位，加热升压至2~2.5／vlpa，坚持8~10h。经过三期煮炉处置，即可抵达除油垢和健全钝化膜的企图。

2. 结垢锅炉的煮炉除垢 关于结垢的锅炉，要依据垢的详细状况制造不同的清洗液。对碳酸盐垢用2～3g／l

naoh、20~30/lna3p04组成的清洗液煮炉；硅酸盐垢用10～20g／l naoh和5~10 g／l

na3p04组成的清洗液煮炉；-钙垢用10~20g／l na2co，和5～10 g／l

na3p04组成的清洗液煮炉。以上均为以垢厚3ram的参考用-，理论运用时应依据垢的理论厚度恰当增减。对锅炉停止水冲刷后，用清洗液注人锅炉至水位和中心水位之间的高度，熄灭加热升压至锅炉额定压力的50％，坚持10h，而且每隔2h在各下联箱底部排污1rain。结束次煮炉后，补偿相同的药剂至相同液位高度，加热升压至锅炉额定压力的75％，坚持10h，并每隔2h排污一次。完毕煮炉后熄火排污，终用水冲刷锅炉。

清洗时间接近完成，停止生产，将火扑灭，温度降至100度，为了清洗系统，即关闭部分阀门，以加速其他管道清洗剂的流动。保持半小时。做更的清洗。强制打开排气阀约1小时，清洗尾槽。

清洗后温度下降到40到80度。从输油系统的点出发，尽可能将导热油和去污剂清除掉；然后再启动空气压缩机，尽可能使导热油和去垢剂的残渣去除系统更完善。

清洗过程完成后，可添加新油继续生产。不仅节省时间，不影响生产任务，而且不排放污水，会造成二次污染，但热油在线清洗剂不适合热油管道完全堵塞的情况。

化学清洗和安全知识

1 化学清洗

在半导体器件工艺实验中。化学清洗是指去除吸附在半导体、金属材料和器具表面的各种有害杂质或油渍。清洗方法是利用各种化学试剂和有机助熔剂，使吸附在被清洗物体表面的杂质和油类发生化学反应溶解，或辅以超声波、加热、真空等物理措施，将杂质除去。从要清洁的物体。表面解吸或解吸，然后用大量高纯冷热去离子水冲洗，得到干净的表面。

1.1 化学清洗的重要性

工艺实验中的每个实验都有化学清洗的问题。化学清洗的对实验结果有-影响。如果过程处理不当，将得不到实验结果或实验结果很差。因此，了解化学清洗的作用和原理对工艺实验具有重要意义。众所周知，半导体的重要特性之一是对杂质非常敏感。只要有百万分之一甚至少量的杂质，就会对半导体的物理性能产生影响。方法。各种功能半导体器件的制造。但也正是因为这个特点，给半导体器件的工艺实验带来了麻烦和困难。用于清洁的化学试剂、生产工具和水可能成为有害杂质的来源。即使是干净的半导体晶圆更长时间暴露在空气中也会引入明显的污染物。化学清洗是去除有害杂质，保持硅片表面清洁。

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