NR94 8000PY光刻胶报价欢迎来电「在线咨询」
利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特点。光分解型采用含有---醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型采用---月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未---的区域将溶解,而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是较好的,因此在ic制造中的应用更为普及,但mems系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。
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注意事项:
若腐蚀液为碱性,则不宜用正性光刻胶;
看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题
负性胶价格成本低,正性胶较贵;
工艺方面:负性胶能---地获得单根线,而正性胶可获得孤立的洞和槽;
健康方面:负性胶为有机溶液处理,不利于环境;正性胶属于水溶液,对健康、环境无害。
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光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占ic制造50%左右,成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。
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