厂价供应前室压差控制器在线咨询「春志空调」

压力控制器用于控制前室压力时高压管嘴p1接通前室，低压管嘴p2接走廊或过道；pg301压力控制器监控两端的压差值，当压差值达到设定值25~30pa，压力控制器常开触点闭合，接通楼顶旁通泄压阀电源，处于楼顶的溢流阀打开进行送风泄压，降低压差值，当压差值降低到一定值通常回差为10pa，pg301前室压力控制器触点断开，楼顶旁通阀断电，旁通阀闭合停止泄压。

pg301压力控制器用于控制前楼梯间压力时高压管嘴p1接通楼梯间，低压管嘴p2接走廊或过道；pg301压力控制器监控两端的压差值，当压差值达到设定值40~50pa，压力控制器常开触点闭合，接通楼顶旁通泄压阀电源，处于楼顶的溢流阀打开进行送风泄压，降低压差值，当压差值降低到一定值通常回差为10pa，pg301前室压力控制器触点断开，楼顶旁通阀断电，旁通阀闭合停止泄压。

硅单芯片为衬底的sic薄膜

五、sic薄膜材料 sic是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成。利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可获得的立方体结构的sic。随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同，可表示为β-sic。β表示不同形态的晶体结构。用离子注入法得到的sic材料，自身的物理、化学及电学特性优异，表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性极强、较宽的禁带宽度近乎硅的1-2倍及较高的压阻系数的特性；因此，sic材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，并具有稳定的电学性质。非常适合在高温、-环境下工作的微机电选择使用。 由于sic单晶体材料成本高，硬度大及加工难度大，所以硅单晶片为衬底的sic薄膜就成为研究和使用的理想选择。通过离子注入，化学气相淀积vcd等技术，将其制在si衬底上或者绝缘体衬底sicoi上，供设计者选用。例如航空发动机、火箭、及等耐热腔体及其表-位的压力测量，便可选用以绝缘体为衬底的sic薄膜，作为感压元件膜片，并制成高温压力微传感器，实现上述场合的压力测量。测压时的工作温度可达到600℃以上。