肖特基二极管参数台湾ASEMI品牌 强元芯电子

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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，sbd与pn结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。

采用这种结构的sbd，击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散-，使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍，达到150v和200v。在正向偏置时，高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v，而肖特基势垒的结电压仅约0.3v，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

asemi肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快恢复二极管更高，trr参数只几ns,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏低自身功耗，但点压不高，一般只能做到200v，现在asemi有做300v的mbr30200pt。更高的参数需求可以详询asemi在线。

asemi肖特基二极管和普通快恢复二极管的区别?

肖特基整流管的结构原理与pn结整流管有很大的区别通常将pn结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管仅用一种载流子电子输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题qrr***0，使开关特性获得时显-。