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NR7 6000PY光刻胶价格-「多图」

发布者: 北京赛米莱德贸易有限公司  时间:2021-11-19 






光刻胶的分类

以下是赛米莱德为您一起分享的内容,赛米莱德生产光刻胶,欢迎新老客户莅临。

硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:1将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;2在后续工艺中,保护下面的材料例如刻蚀或离子注入阻挡层。

分类

光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2]  。



光刻胶的参数

赛米莱德生产、销售光刻胶,我们为您分析该产品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名:resolution。区别硅片表---邻图形特征的能力,一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。

对比度

对比度contrast指光刻胶从---区到非---区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。

敏感度

敏感度sensitivity光刻胶上产生一个---的图形所需一定波长光的能量值或---量。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光duv、极深紫外光euv等尤为重要。

粘滞性黏度

粘滞性/黏度viscosity是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重sg,specific gravity是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊poise,光刻胶一般用厘泊cps,厘泊为1%泊来度量。百分泊即厘泊为粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯cs=cps/sg。

粘附性

粘附性adherence表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺刻蚀、离子注入等。

抗蚀性

抗蚀性anti-etching光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体---表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力surface tension,使光刻胶具有---的流动性和覆盖。



如何选购光刻胶?

光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。

划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未---的区域将溶解,而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的,因此在ic制造中的应用更为普及,但mems系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。

以上就是为大家介绍的全部内容,希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识,欢迎拨打图片上的热线联系我们。

光刻胶的未来发展

以下内容由赛米莱德为您提供,希望对同行业的朋友有所帮助。

由于光刻胶的技术壁垒较高,国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。---是高分辨率的krf和arf光刻胶,基本被日本和美业占据。

国内光刻胶生产商主要生产pcb光刻胶,面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。国内生产的光刻胶中,pcb光刻胶占比94%,lcd光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。

国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于国内光刻胶起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品,tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少,仍需大量进口,从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。




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