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NR7 6000P光刻胶厂家-「赛米莱德」

发布者: 北京赛米莱德贸易有限公司  时间:2021-11-20 






负性光刻胶简介

感光树脂经光照后,在-区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,-是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像见图光致抗蚀剂成像制版过程。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特点。光分解型,采用含有-醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型,采用-月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会-分辨率见感光材料的提高。为进一步提高分辨率以满足-规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、x 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,x射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1□m以下。

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   光刻胶的主要技术参数

1.灵敏度sensitivity

灵敏度是衡量光刻胶-速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的-剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。

2.分辨率resolution

区别硅片表-邻图形特征的能力。一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:

(1) -系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、-、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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光刻胶的-参数是什么?

分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的-参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的-参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。

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