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icp刻蚀机的结构

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icp设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。

1预真空室预真空室的作用是-刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境如：粉尘、水汽的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。

2刻蚀腔体刻蚀腔体是icp 刻蚀设备的-结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、icp 射频单元、rf 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。

3供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器pc和流量控制器mfc准确的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。

4真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

icp刻蚀机装片介绍

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等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，-待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。如果您对化学气相沉积感兴趣，欢迎-左右两侧的在线，或拨打咨询电话。冷热探针法将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下：热探针和n型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，p型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。