永新肖特基二极管常见型号-「强元芯电子」

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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由asemi--为您解析这一问题。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以n型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的n-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(sio2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。n型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较h-层要高100%倍。

在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于n型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。

asemi肖特基二极管参数的研发拓展：

asemi研制的mbr60100pt  mbr60150pt  mbr60200pt，是专门为在输出12v~24v的smps中替代高频整流fred而设计的。像额定电流为2×8a的大电流高频率型sbd，起始电压比业界居-水平的200v/2×8afred(如strr162ct)低0.07v(典型值为0.47v)，导通电阻rd(125℃)低6.5mω(典型值为40mω)，导通损耗低0.18w(典型值为1.14w)。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管5us以下，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用pn结型结构，有的采用改进的pin结构。其正向压降高于普通二极管1-2v，反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，asemi肖特基二极管与快恢复二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了asemi整流12年的佳话！