便携式IGBT测试仪批发可量尺定做「华科智源」

华科智源igbt测试仪制造标准 华科智源igbt测试仪hustec-1200a-mt除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满-下标准的版本。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。 gb/t 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管igbt gb 13869-2008 用电安全导则 gb19517-2004 电器设备安全技术规范 gb 4208-2008 外壳防护等级ip 代码iec 60529：2001，idt gb/t 191-2008 包装储运图示标志 gb/t 15139-1994 电工设备结构总技术条件 gb/t 2423 电工电子产品环境试验 gb/t 3797-2005 电气控制设备 gb/t 4588.3-2002 印制板的设计和使用 gb/t 9969-2008 工业产品使用说明书总则 gb/t 6988-2008 电气技术用文件的编制 gb/t 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 gb/t 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

测试的igbt参数包括：ices漏流、bvces耐压、igesf正向门极漏流、igesr反向门极漏流、vgeth门槛电压／阈值、vgeon通态门极电压、vcesat饱和压降、icon通态集极漏流、vf二极管压降、gfs跨导、rce导通电阻等全直流参数, 所有小电流指标-1%重复测试精度, 大电流指标-2%以内重复测试精度。8环境要求 环境温度：15～35℃ 相对湿度：小于70% -压力：86kpa～106kpa 压缩空气：不小于0。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；01ma 栅极电压vge： 0v 4集电极-发射极饱和电压vcesat vcesat：0。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2kv。

技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1功能

gbt模块动态参数测试。

*2测试对象

被测器件igbt模块动态参数。测试温度范围 tj=25°及125°。

3.1.2 igbt模块动态测试参数及指标

测试单元对igbt模块和frd的动态参数及其他参数的定义满足-iec60747-9以及iec60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

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