威海二极管肖特基常用指南 强元芯电子供应商

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肖特基二极管是以其发明人华特?肖特基博士walter hermann schottky，1886年7月23日—1976年3月4日命名的，sbd是肖特基势垒二极管。

从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！asemi在21世纪延续了这个不平凡，将高频率低耗损节能的产品引入并发展！

在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，sbd与pn结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。

接下来我们将一起看一下asemi肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。

在频率上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在电流范围上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在耐压-范围上，肖特基二极管小于超快恢复二极管小于快恢复二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；

由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

关于肖特基二极管的应用，asemi总结出以下几点：

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(schottky barrier diode)，具有正向压降低0.4—1.0v、反向恢复时间很短0-10纳秒，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150v，多用于低电压场合。