各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线:在平面显示器产业中,各种显示技术(如lcd、pdp、oled及fed等)的同步发展,有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中,磁性存储器的存储容量不断增加,新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的提出了越来越高的要求,需求数量也逐年增加。钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的,它作为第三代太阳能电池的阻挡层是---择。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。但只当金属纯度达到---的标准时如纯度9以上的金属,物理杂质的概念才是有意义的,因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准,即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。根据本发明的第四方面,所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30%至约40%。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等.但是ta、w都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
中国的---工业由于较长时期处于计划经济体制,因此发展比较缓慢,---是铂族金属起步更是比较晚,工艺技术比较落后,国内资源更是匮乏,直到改革开放以后,以上海黄金的开业为标志,在这三十年里,才得到了迅速的发展,出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式,为---开打了通往---的大门,更多的开辟了就业渠道,同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋,蓬勃发展,使中国成为很大的的铂族金属进口和消费国。但对于杂质浓度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。
贵重金属回收指的是从一些特定材料中回收有再利用价值的金属废料。许多珍---回收服务企业采用---的精练技术提取金,银,铂等金属。这些程序可以从工业废料,电线中提取珍贵的非铁金属。回收涉及从金属材料中分离贵重金属,其中一些材料可能包括催化剂,如电子组件或印刷电路板。黄金提炼回收服务应用于各种行业,包括航空航天,珠宝,,半导体和印刷电路板行业。
金属精炼能力可以包括熔炼和通过焚烧热还原。回收涉及从金属材料中分离贵重金属,其中一些材料可能包括催化剂,如电子组件或印刷电路板。为了---的分离或清除金属,普遍采用水解或热解等程序。
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