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而研磨的时间约为10~15min。在研磨结束前也需慢慢将研磨压力降低(图中ⅲ区)。晶片的研磨速率一般是随以下参数而增加 [3] :1研磨压力的增加;2研磨浆料流速的增加;3研磨浆料内研磨粉的增加;4研磨盘转速的增加。研磨制程的完成,是以定时或定厚度(磨除量)为主。其中定厚度的方法,是利用一厚度探针,来感应晶片的厚度,一旦达到设定的厚度,机台便会慢慢减压而停止研磨。
1.本研磨机为精密研磨抛光设备,被磨、抛材料放于研磨盘上,研磨盘逆时钟转动,修正轮带动工件自转,重力加压的方式对工件施压,工件与研磨盘作相对运转磨擦,来达到研磨抛光目的。
2.研磨盘修整机构采用油压悬浮导轨前后往复运动,金刚石修面刀给研磨盘的研磨面进行精密修整,得到理想的平面效果。
机器特点:
本研磨机的研磨效率比起小型中心加压的研磨机、研磨耗材成本低,是芯片、fa、单纤、尾纤研磨抛光的平光纤研磨机、光纤抛光
3 精抛
精抛主要使用钻石研磨膏。若用抛光布轮混合钻石研磨粉或研磨膏进行研磨的话,则通常的研磨顺序是 9 μ m #1800 ~ 6 μ m #3000 ~3 μ m #8000 。 9 μ m 的钻石研磨膏和抛光布轮可用来去除 #1200 和 #1500 号砂纸留下的发状磨痕。接着用粘毡和钻石研磨膏进行抛光,顺序为 1 μ m #14000 ~ 1/2 μ m #60000 ~1/4 μ m #100000 。
精度要求在 1 μ m 以上包括 1 μ m 的抛光工艺在模具加工车间中一个清洁的抛光室内即可进行。若进行精密的抛光则必需一个洁净的空间。灰尘、烟雾,头皮屑和口水沫都有可能报废数个小时工作后得到的高精密抛光表面。
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