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政策扶持

为促进我国光刻胶产业的发展，02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收组、财务验收组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。

据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了euv光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循中国职业安全健康管理局标准的规定和ansi美国---学会z88。项目共申请发明15项包括国际5项，截止到目前，共获得授权10项包括国际授权3项。

光刻工艺主要性一

光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。二、预烘和底胶涂覆pre-bakeandprimervapor由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。

针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商---的技术。

此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。---光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与---波长、数值孔径和工艺系数相关。

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使命

目标

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策略

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工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能

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