进口化学气相沉积设备公司给您好的建议「在线咨询」
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积pecvd工艺研发设备,用来在硅片上沉积siox、sinx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,镀膜样品为156×156mm基片并向下兼容。
设备概述:
1.系统采用单室方箱式结构,手动前开门;
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm;
3.---真空度:≤6.67x10-4 pa (经烘烤除气后,采用分子泵抽气);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7pa.l/s; 系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa,35分钟可达到
采用分子泵抽气,分子泵不配,预留分子泵接口); 停泵关机12小时后真空度:≤5 pa采用分子
泵抽气,分子泵不配,预留分子泵接口);
4.采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式;
5.样品加热加热温度:300℃,温控精度:±1°c,采用日本进口控温表进行控温;
6.喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调;
7. 沉积工作真空:13-1300pa;
8.气路设有匀气系统,真空室内设有---抽气均匀性抽气装置;
9.射频电源:频率 13.56mhz,功率500w,全自动匹配;
10.sih4、nh3、co2、n2、h2、ph3、b2h6、七路气体,共计使用7个流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
以上就是关于方箱pecvd镀膜产品的相关内容介绍,如有需求,
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售化学气相沉积,我们公司坚持用户为-,想用户之所想,急用户之所急,以诚为本,讲求信誉,以产品求发展,以求生存,我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。
1、适用范围:适合于各单位实验室、---院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
2、产品优点及特点:应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备,兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。
3、主要用途:主要用来制作sio2、si3n4、非晶si:h、多晶si、sic、w、ti-si、gaas、gasb等介电、半导体及金属膜。
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积,我们为您分析该产品的以下信息。
等离子体增强化学气相沉积pecvd技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从---上改变了反应体系的能量供给方式。前者的加热会让整个沉积室壁都会因此变热,所以管壁上同样会发生沉积。一般说来,采用pecvd技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:
首先,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;
其二,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;
然后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。
等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中比较常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。icp刻蚀机检测技术高密度等离子体刻蚀是当今---规模集成电路制造过程中的关键步骤。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式,这种设计的是富有弹性的,用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法:反应性等离子体rie,顺流等离子体downstream,直接等离子体direction plasma。
期望大家在选购化icp刻蚀机时多一份细心,少一份浮躁,不要错过细节疑问。想要了解更多化学气相沉积的相关,欢迎拨打图片上的热线电话!!!
联系时请说明是在云商网上看到的此信息,谢谢!
推荐关键词:多靶磁控溅射仪,单靶磁控溅射仪,磁控镀膜机
本页网址:https://www.ynshangji.com/xw/24287467.html
声明提示:
本页信息(文字、图片等资源)由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们,我们将迅速对信息进行核实处理。
登录后台


