NR21 20000P光刻胶价格常用解决方案「多图」
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硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:1将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;2在后续工艺中,保护下面的材料例如刻蚀或离子注入阻挡层。
分类
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含si的光刻胶,这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料常被称作underlayer,其对光是不敏感的。-显-,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的,例如硅氧烷,,含si的树脂等
在-过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以-后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。-后的光刻胶溶解速度几乎是未-的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在-区间显影,负性胶则相反。负性胶由于-区间得到保留,漫射形成的轮廓使显-的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂,以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的kpr为代表,后者以omr系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以-醌为感光化合物,以酚醛树脂为基体材料。常用的有az- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。
光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用-区与非-区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
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