负性光刻胶

负性光刻胶

负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

a、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双---的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长---。

粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域感光区域、负光刻胶未被照射的区域非感光区化学成分发生变化。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到---的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强---通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶---时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

i线---用粘度增强负胶系列：np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。

g和h线---用粘度增强负胶系列：np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。

 b、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长---。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到---的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强---通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶---时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。随着国内厂商占据lcd市场比重越来越大，国内lcd光刻胶需求也会持续增长。

用于i线---的加工负胶系列：nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。

光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介

光刻胶具有光化学敏感性，其经过---、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。

光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶---化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。

光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路ic光刻胶、 pcb光刻胶以及lcd光刻胶三个大类。其中， pcb光刻胶占全球市场24.5%，半导体ic光刻胶占全球市场24.1%，lcd光刻胶占全球市场26.6%。

nr9-3000pynr9 3000p光刻胶公司

二、预烘和底胶涂覆pre-bake&primer vapor

由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100 °c。这是与底胶涂覆合并进行的。

底胶涂覆增强光刻胶(pr)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (hmds)、在pr旋转涂覆前hmds蒸气涂覆、pr涂覆前用冷却板冷却圆片。