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反应烧结法(rs)是采用一般成型法

反应烧结法 rs)

是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化部分氮化烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工如车、刨、铣、钻).。然后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率< 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸正常的零件，成本也低，但氮化时间很长。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。

耐火砖按制备工艺方法来划分

耐火砖通称火砖。用耐火黏土或别的防火原料烧造成的耐火材料。浅黄色或带深褐色。关键用以砌冶炼炉，可耐1，580℃—1，770℃的高温。也叫火砖。具备一定形状和规格的耐火材料。将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率。按制取加工工艺方式来区划可分成烧制砖、不烧制、电熔管件砖溶炼砖、防火隔热板；按形状和规格可分成基本型砖、一般砖、特-型砖等。可作为工程建筑工业窑炉和各种各样隔热机器设备的高温建筑装饰材料和构造原材料，并在高温下会承受各种各样物理学转变和机械设备功效。比如耐火粘土砖、高铝耐火砖、硅砖、镁砖等。

如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：

利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。

等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。-是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由-在1200-1350℃分解产生的。

氮化硅制品按工艺可以分为反应烧结制品、热压制品、常压烧结制品、等静压烧结制品和反应重烧制品等。其中，反应烧结是一种常用的生产氮化硅耐火制品的方法。

反应烧结法生产氮化硅制品是将磨细的硅粉粒度一般小于80μm，用机压或等静压成型，坯体干燥后，在氮气中加热至1350～1400℃，在烧成过程中同时氮化而制得。采用这种生产方法，原料条件和烧成工艺及气氛条件对制品的性能有很大的影响。