NR74G 3000PY光刻胶厂家-了解更多「赛米莱德」
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1959 年被发明以来就成为半导体工业-的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为 pcb 生产的重要材料。
二十世纪 90 年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。
在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶也起着举足轻重的作用。
总结来说,光刻胶产品种类多、-性强,需要长期技术积累,对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有-要求,企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术,具有-的技术壁垒。
光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中,pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域,光刻技术经历了紫外全谱(300~450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各-波长的光刻胶也应运而生,光刻胶中的关键配方成份,如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化,使光刻胶的综合性能-地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同,可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准-、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤,以实现图形的转移,制造特定的微结构。
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光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过-后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显-被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过-后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显-,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率即光刻工艺中所能形成图形不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。
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