NR74G 3000PY光刻胶价格-「赛米莱德」
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含si的光刻胶,这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料常被称作underlayer,其对光是不敏感的。-显-,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的,例如硅氧烷,,含si的树脂等
感光树脂经光照后,在-区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,-是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像见图光致抗蚀剂成像制版过程。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特点。光分解型,采用含有-醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型,采用-月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会-分辨率见感光材料的提高。为进一步提高分辨率以满足-规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、x 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,x射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1□m以下。
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1959 年被发明以来就成为半导体工业-的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为 pcb 生产的重要材料。
二十世纪 90 年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。
在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶也起着举足轻重的作用。
总结来说,光刻胶产品种类多、-性强,需要长期技术积累,对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有-要求,企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术,具有-的技术壁垒。
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
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