变频器用IGBT测试仪加工近期行情 华科轨道交通IGBT

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma；培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

3.6 vces 集射极截止电压 0~5000v 集电极电流ices： 0.01～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～50ma±1%±0.1ma； 集电极电压vces： 0-5000v±1.5%±2v； * 3.7 ices 集射极截止电流 0.01～50ma 集电极电压vces： 50～500v±2%±1v； 500～5000v±1.5%±2v；主要参数 测试范围 精度要求 测试条件vce集射极电压 150～3300v 150～500v±3%±1v。 集电极电流ices： 0.001～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～150ma±1%±0.1ma； * 3.8 vce(sat) 饱和导通压降 0.001～10v 集电极电流ice： 0-1600a 集电极电压vces： 0.001～10v±0.5%±0.001v 栅极电压vge： 5～40v±1%±0.01v 集电极电流ice： 0～100a±1%±1a； 100～1600a±2%±2a； * 3.9 iges 栅极漏电流 0.01～10μa 栅极漏电流iges： 0.01～10μa±2%±0.005μa 栅极电压vge： ±1ｖ～40v±1%±0.1v； vce=0v； * 3.10 vf 正向特性测试 0.1～5v 二极管导通电压vf： 0.1～5v±1%±0.01v 电流if： 0～100a±2%±1a； 100～1600a±1.5%±2a；

2.4短路技术条件 1、vcc： 200～1000v 200～1000v±3%±2v 2、一次短路电流：20000a 500～1000a±3%±2a 1000a～5000a±2%±5a 5000a～20000a±2%±10a 3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件 1、vce：50～500v±3%±5v 500～1000v±3%±5v 2、ic：1a～50a 1a～9.9a±3%±50ma 10a～50a±3%±1a 3、ea：10mj～20j 10mj～1000mj±3%±1mj 1j～20j±3%±10mj 4、脉冲宽度：40—1000us可设定 5、测试频率：单次 2.6 ntc测试技术条件 阻值测量范围：0～20kω

声明提示：

本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。