NR9 3000P光刻胶公司全国发货 北京赛米莱德

光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏---人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了---的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片wafer clean

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术例goldfinger mach2清洗系统、美国ssec公司的双面檫洗技术例m3304 dss清洗系统、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术用电介超纯离子水清洗使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。下游发展趋势光刻胶的和性能是影响集成电路性能、成品率及---性的关键因素。

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光刻胶稳定性

化学稳定性：在正常储存和操作条件下，在密闭容器中室温稳定。

避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。

不相容的其他材料: -。

光刻胶毒理资料

淡黄色液体，气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的---。可以通过皮肤吸收而引起全身性的---。液体是可燃的。

毒性数据

皮肤：可以通过皮肤吸收而引起全身性的---，类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的---或皮炎。

眼睛：引起眼睛发炎。

吸入：吸入时可能有害。引起呼吸道---。蒸气可能导致困倦和---。

摄食：吞食有害。

---效应：肝和损害，以及动物实验中有------和gu髓有影响。

pc6-16000

nr9-3000py 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节---能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

nr9-1000py 0.7μm - 2.1μm

nr9-1500py 1.1μm - 3.1μm

nr9-3000py 2.1μm - 6.3μm

nr9-6000py 5.0μm -

12.2μm  

resist thickness

nr71-1000py 0.7μm - 2.1μm

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