同方迪一分享高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比
坚信大伙儿是不是非常容易搞混高压陶瓷电容和高压高压瓷片电容2个的定义，文中便是要为大伙儿理清这二种电子器件的差别，特性及其应用留意等。
高压陶瓷电容的特性：
1.不用验证
2.压能够 做到7kv在越高越少见了，
3.打印出方法和y电容比无需把各国验证打在商品表层，
4.电压*少能够 到16v
5.抗压*大2.5倍一般生产制造是1.5倍的规范测
a型原材料的沟通交流穿透电压特性外边用环氧树脂胶压模包裹的陶瓷电容器的穿透电压厂。与空隙长g(圆片半经与电级半经之差)的关联。电力电容器的直徑为20mm,原材料相对介电常数为1460下称a材),电级为银电级。实验标准为25℃,释放50hz交流电压,电压上升幅度为zkv/s。
高压瓷片电容特性：
1.常见于高压场所
2.陶瓷有i类瓷，ii类瓷，iii类瓷之分，
3.i类瓷，np0，温度特性，-率特性和电压特性佳，因相对介电常数不高，因此容积做并不大
4.ii类瓷，x7r其次，温度特性和电压特性-
5.iii类瓷，相对介电常数高，因此 容积能够做非常大，但温度特性和电压特性不大好。
6.瓷片电容器一般体积不大
此外，再注重一个关键特性：瓷介电力电容器穿透后，通常呈短路故障情况。它是它的缺点而薄膜电容器无效后，一般呈引路情况。
高压瓷片电容和高压陶瓷电容功能基本上是一样的，一些细节会有些不同。所以在使用的时候也要注意到性能方面。
陶瓷电容和瓷片电容有区别嘛，同方迪一为你解答
陶瓷电容：陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
二者联系和区别：瓷片电容的高频特性好，但电容值*大只能做到0.1uf。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种。瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。以上就是同方迪一整理出来的，同方迪一制造陶瓷电容和瓷片电容，为你提供好的cg电容产品。
瓷片电容耐压越高越好吗？同方迪一来剖析
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。耐压值的选择非常非常重要，如果把300v的电容，用在600v的电源上，会怎么样？瓷片电容的话有可能扛得住没被烧掉，也可能被烧掉短路了。如果是电解电容和钽电容的话，肯定是直接击穿短路或干脆炸了。
硬件设计选择电容的时候，务-考虑清楚线路的高电压，通常是折半使用，就是电容耐压值要达到线路电压的2倍或更多。例如200v电源上的电容要选择400v的。那么瓷片电容的耐压越高越好吗？虽然说高耐压的电容可以用在低电压电路中并且不会出现什么意外，但是在同等容量的电容器里，耐压越高的电容器体积比如是会的，而电容器太大占据的空间就会更多，可能在电子线路中就放不下了。
而且随着电容器的耐压提高，电容器的介质材料和加工工艺势必都会发生变化。那么材料不同带来的频率特性，温度特性，损耗角，耐受纹波电流能力都不同。同时电容器的耐压值选择应该得当，选择的瓷片电容耐压太大用在低电压电路中反而是浪费了，我们要，选择合适耐压的瓷片电容。
高压瓷片电容烧坏的原因介绍
一:潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高， 会使高压瓷片电容的表面绝缘电阻下降, 对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。
二:银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，-时会使两个银电极之间完全短路，导致高压瓷片电容损坏或击穿。
三:有的高压瓷片电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至炸掉。
四:从单颗瓷片电容分析,电容碰到了-的电流，导致内部材料-，散热不及时，造成热击穿损坏。
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